Des électrons accélérés à plus de 2 GeV avec le laser APOLLON

Une équipe de chercheurs du Laboratoire d’Optique Appliquée (LOA, ENSTAs, CNRS, École Polytechnique, Institut Polytechnique de Paris) et du CEA a démontré la production de faisceaux d’électrons quasi-monoénergétiques dépassant 2 GeV à l’aide d’un laser de classe pétawatt.

Menée sur l’installation laser Apollon, cette étude, publiée dans Physical Review Accelerators and Beams, combine une technique d’injection contrôlée et un guidage du laser dans un guide d’onde plasma, permettant d’augmenter la longueur d’accélération et la qualité des faisceaux.

Ces résultats ouvrent des perspectives prometteuses pour le développement d’accélérateurs compacts, avec des applications potentielles en physique fondamentale, ou pour les lasers à électrons libres.

Figure: Spectres d'électrons résolus angulairement, obtenus par guidage et par injection d'ionisation assistée par choc. Dessous, les deux mêmes spectres mais intégrés angulairement.